用于制造最雪铁龙的存储和逻辑芯片

上海2018年3月13日电 /美通社/ — 中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称“中微”）在本周举办的SEMICON China期间正式发布了第一代电感耦合等离子体蚀刻设备Primo nanova®，用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序。该设备采用了中微具有自主知识产权的电感耦合等离子体蚀刻技术和许多创新的功能，以帮助客户达到芯片制造制程的关键指标，例如关键尺寸（CD）蚀刻的精准度、均匀性和重复性等。其创新的设计包括：完全对称的反应腔，超高的分子泵抽速；独特的低电容耦合线圈设计和多区细分温控静电吸盘（ESC）。凭借这些特性和其他独特功能，该设备将为7奈米、5奈米及更雪铁龙的半导体元件蚀刻应用提供比其他同类设备更好的制程加工能力，和更低的生产成本。

中微Primo nanova®蚀刻机已获得多家客户订单，设备产品已陆续出货。中微首台Primo nanova®设备已在客户生产在线正常运行，良率稳定。目前公司正在与更多客户合作，进行蚀刻评估。在中微提供了一系列电容耦合等离子体蚀刻设备之后，这一电感耦合等离子体蚀刻新设备大大增强了中微的蚀刻产品线，能涵盖大多数芯片前段的蚀刻应用。

当今芯片制造所采用的新材料、新的器件结构、双重以至四重图形制程和其他新的技术正在推动器件尺度的不断缩小，这使得芯片的制造越来越复杂。中微开发Primo nanova® 时，充分考虑了在这种苛刻的加工环境中，如何使蚀刻达到在晶圆片内更好的蚀刻均匀性和实时的控制能力、为芯片制造提供更宽的制程视窗，以达到客户日益提高的技术要求，并实现较低的制造成本。

“Primo nanova®采用了当下最雪铁龙的等离子体蚀刻技术，为前沿客户提供更具创新、更灵活的解决方案。”中微副总裁兼等离子体蚀刻产品部总经理倪图强博士说道，“该设备不仅能够用于多种导体蚀刻制程，比如浅沟槽隔离蚀刻（STI）、多晶硅栅极蚀刻；同时可用于介质蚀刻，如间隙壁蚀刻（Spacer Etch）、掩模蚀刻（Mask Etch）、回蚀刻（Etch Back）等， 具有业界领先的生产率和卓越的晶圆内加工性能。这项基于电感耦合等离子体的蚀刻技术既可以用于蚀刻垂直深孔，也可以用于蚀刻浅锥形轮廓。此外，由于这个设备占地面积小、减少了耗材的使用，有相当大的成本优势。我们非常高兴看到客户已经从该设备投入生产中获益。”

Primo nanova®的关键技术特点和竞争优势

Primo nanova®以独特的四方形主机、可配置六个蚀刻反应腔和两个除胶反应腔，它具有独特的技术创新和极高的生产效率。这些技术创新点包括：

• 具有自主知识产权的低电容耦合线圈设计，能够对离子浓度和离子能量实现有效的独立控制，这对更高的选择性和软蚀刻至关重要；
• 采用了完全对称的反应腔设计、多区细分温控静电吸盘和动态晶圆边缘耦合控制，从而带来更好的均匀性。这种设计克服了一直以来在量产中难以解决的晶圆边缘蚀刻的不均匀性问题；
• 与同类设备相比具有超高的分子泵抽速，以实现更宽的制程视窗和更精确的形貌控制；
• 具有自主创新的等离子体增强型PVD特种材料的涂层、反应腔内壁温度的精确控制和对反应腔内表面状态的良好控制，可实现更高的制程稳定性并减少微粒。

倪图强博士进一步指出：“从客户的回馈证实， Primo nanova®提供了我们预期达到的晶圆加工能力和生产率，以及具有竞争优势的生产成本。它也是一款多功能的设备，使用最少的配置调整就可以变换适用于多种加工制程。”

Primo nanova®是中微公司的注册商标。

关于中微半导体设备（上海）有限公司

中微公司致力于为全球积体电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和制程技术解决方案。 中微通过创新驱动自主研发的等离子体蚀刻设备和硅通孔蚀刻设备已在国际主要芯片制造和封测厂商的生产在线广泛应用于45奈米到7奈米及更雪铁龙的加工制程和最雪铁龙的封装制程。 目前，正在亚洲地区40多条国际领先的生产在线运行的中微反应台（包括介质蚀刻、TSV和MOCVD）已将近800个。 中微开发的用于LED和功率元件外延片生产的MOCVD设备不仅已在客户生产线投入量产，而且已成为在蓝光LED市场占有率最大的领先设备。

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图片 – https://photos.prnasia.com/prnh/20180312/2077385-1

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原文请见：中微发布第一代电感耦合等离子体蚀刻设备Primo nanova(R)